نوع التهجين في SF4
(1) نكتب التركيب الإلكتروني لذرة للكبريت في الحالة المستقرة (المنفردة):
تركيب لويس لجزيء SF4 هو:
نلاحظ أن حول الذرة المركزية خمسة أزواج إلكترونية، فإنه حسب نظرية (VSEPR) سوف تتوزع الأزواج الإلكترونية في أركان هرم ثلاثي مزدوج ، أي أن التهجين من نوع sp3d وبذلك فنحن في حاجة إلى خمسة مدارات متساوية في الطاقة ، أربعة منها تحتوي كل منها على إلكترون منفرد.
ملاحظة: في هذه الحالة لن نحتاج إلى نقل إلكترون لأنه متوفر لدينا أربع إلكترونات مفردة.
(2) تحـدث عـمـليـة دمج مـدار من نوع (3s) مع ثلاث مدارات من نوع (3p) ومـدار واحـد من نوع (3d) لنحصل على خـمـس مـدارات مهجنة من نوع (sp3d).
يحـتـوى أربع منهـا على إلكترون منفرد. والخامس يحتوي على زوج إلكتروني.
التركيب الإلكتروني لذرة الكبريت بعد التهجين:
(3) يحـدث تداخل بين مـجـال (2p) من ذرة الفلور ومـجـالات الات (sp3d) المهجنة من ثرة الكبريت لتتكون أربع روابط تساهمية.
وهذه الروابط متساوية في الشكل والطاقة ، أما المدار الرابع فيحتوي على زوج من الإلكترونات الحرة.
وحيث ان المركب ينتمي إلى النوع (AX4E) ، إذن الشكل الهندسي للـجـزيء هو هرم رباعي مشوه (Irregular Tetrahedron) .
من الأمثلة المشابهة للجزيء SF4 في التهجين والشكل الهندسي:
TeCl4 & SF4 & SCl4 & R2SeCl2 & SeF4 & SeCl4 & TeF4