نوع التهجين في XeF4
(1) نكتب التركيب الإلكتروني لذرة الزينون (Xe) في الحالة المستقرة (المنفردة):
تركيب لويس لجزيء XeF4 هو:
نلاحظ أن حول الذرة المركزية ستة أزواج إلكترونية فإنه حسب نظرية (VSEPR) سوف تتوزع الأزواج الإلكترونية في أركان شكل ثماني الأوجه ، أي أن التهجين من نوع sp3d2 لذا فنحن في حاجة إلى ستة مدارات متساوية في الطاقة ، تحتوي كل منها على إلكترون منفرد.
(2) ينتقل (يستثار) إلكترونان من المدار (5p) إلى مـجـالين فارغين من مـجـالات (4d) الفارغة ليصبح لدينا أربع إلكترونات مفردة . وزوجين من الإلكترونات.
التركيب الإلكتروني لذرة الزينون (Xe) في الحالة المثارة:
(3) تحـدث عـمـليـة دمـج مـدار من نوع (5s) مع ثلاث مدارات من نوع (5p) ومـداران من نوع (4d) لنحصل على ست مدارات مهجنة من نوع (sp3d2).
التركيب الإلكتروني لذرة الزينون (Xe) في بعد التهجين:
(4) يحـدث تداخل بين مـجـال (2p) من ذرة الفلور ومـجـالات (sp3d2) المهجنة من ذرة الزينون لتتكون أربع روابط تساهمية وزوجين حـرين.
وحيث ان المركب ينتمي إلى النوع AX4E2 ، إذن الشكل الهندسي للـجـزي هو مـربـع مـسـتـو (Square Planer).
من الأمثلة المشابهة للجزيء XeF4 في التهجين والشكل الهندسي:
-ICl4- & IF4- & BrF4